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感應(yīng)加熱用中高頻電源技術(shù)的新進(jìn)展

  (9) 現(xiàn)中高頻感應(yīng)加熱中頻電源的冷卻方式清一色為水冷卻,應(yīng)用水壓繼電器的居多,存在著水管堵死,水壓很高,但不能冷卻的問(wèn)題,這很容易造成器件的過(guò)熱損壞,所以保護(hù)方案總的來(lái)說(shuō)存在著不足,應(yīng)增加流量繼電器的保護(hù)與水壓繼電器配合使用。

 

  4、感應(yīng)加熱用中高頻電源的發(fā)展趨勢(shì)探討

  (1)以晶閘管為主功率器件的中頻電源仍然不會(huì)退出歷史舞臺(tái),仍將壟斷大功率(幾千千瓦以上)的中頻電源領(lǐng)域,將是10噸、12噸、20噸煉鋼或保溫,用中頻電源的主流設(shè)備。

  (2)小功率晶閘管中頻電源(功率容量小于1000kW)的將隨著對(duì)效率及煉鋼質(zhì)量的要求不斷提高,而逐漸減小使用量,但它們?cè)诖慊?、彎管等領(lǐng)域仍將使用一段時(shí)間。

  (3)主功率器件為IGCT及GTO的感應(yīng)加熱用中頻電源將與主功率器件為晶閘管的中頻電源展開(kāi)激烈的競(jìng)爭(zhēng)并逐漸縮小前者的市場(chǎng)份額。

  (4)中高頻(頻率高于10kHz~30kHz)領(lǐng)域使用的中頻電源將以IGBT為主要器件,其單機(jī)容量將隨著IGBT自身容量的不斷擴(kuò)大而不斷擴(kuò)大,并獲得越來(lái)越大的使用范圍。

  (5)高頻(頻率高于100kHz)領(lǐng)域的感應(yīng)加熱電源將以MOSFET為主要器件,伴隨著MOSFET制造工藝的不斷進(jìn)步和突破以MOSFET為主功率器件的高頻電源將獲得廣泛的應(yīng)用,其容量將不斷擴(kuò)大。

  (6)感應(yīng)加熱用中頻電源的冷卻技術(shù)將獲得較大突破,將解決水冷方式對(duì)使用者帶來(lái)的漏水,水質(zhì)處理等不便,但這之間也許要經(jīng)過(guò)很長(zhǎng)的時(shí)間。

  (7)感應(yīng)加熱用中頻電源的配套件將不斷進(jìn)步,更加標(biāo)準(zhǔn)化、更系列化,給高中頻電源的制造和維修帶來(lái)更大的方便。

  (8)感應(yīng)加熱用中頻電源的單機(jī)功率容量將不斷擴(kuò)大,有望突破10MW,其工作頻率將越來(lái)越高。

  (9)與感應(yīng)加熱用中高頻電源配套的限制電網(wǎng)干擾,保證電網(wǎng)綠色化的EMI抑制技術(shù),功率因數(shù)校正技術(shù)將獲得廣泛應(yīng)用,并進(jìn)一步改善中高頻感應(yīng)加熱電源的輸出波形和效率。

  (10)SIT及SITH這些器件將在我國(guó)中高頻電源領(lǐng)域獲得應(yīng)用并填補(bǔ)我國(guó)至今沒(méi)有自行開(kāi)發(fā)應(yīng)用這些器件制作的中高頻感應(yīng)加熱電源的空白。

  (11)中高頻感應(yīng)加熱電源的起動(dòng)方式,控制技術(shù)將再獲得突破,并進(jìn)一步提高這類(lèi)電源的性能,采用新型控制策略的中頻電源將獲得大范圍應(yīng)用。

 

  5、結(jié) 論

  感應(yīng)加熱用中高頻電源是我國(guó)工業(yè)生產(chǎn)中必用的設(shè)備,我國(guó)從事這類(lèi)電源的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)已有幾十年的歷史,其發(fā)展水平仍需提高,文中涉及的我國(guó)中高頻電源的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì),可給從事該領(lǐng)域研究的工程技術(shù)人員提供參考。

 

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